Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 4 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Ибрагимова, М. И.
Радиационное распухание и распыление CdxHg1-xTe при имплантации ионов в больших дозах
б.г.
ISBN отсутствует
Ибрагимова, М. И.
Радиационное распухание и распыление CdxHg1-xTe при имплантации ионов в больших дозах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кязым-заде, А. Г.
Теория протекания и переход Мотта в легированных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Кязым-заде, А. Г.
Теория протекания и переход Мотта в легированных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цыпишка, Д. И.
Фотовозбуждение мелких акцепторов в CdxHg1-xTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Цыпишка, Д. И.
Фотовозбуждение мелких акцепторов в CdxHg1-xTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Викулина, К. И.
Увеличение фотопроводимости в магнитном поле / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Викулина, К. И.
Увеличение фотопроводимости в магнитном поле / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Аннигиляция пар Френкеля в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вейс, А. Н.
Энергетический спектр PbTe<Zn+> по данным оптического поглощения
б.г.
ISBN отсутствует
Вейс, А. Н.
Энергетический спектр PbTe<Zn+> по данным оптического поглощения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Плюхин, А. В.
Дисперсионный перенос в неупорядоченных органических полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Плюхин, А. В.
Дисперсионный перенос в неупорядоченных органических полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Архипов, В. И.
'Вспышечная' кинетика радиационного заряжения в неупорядоченных диэлектриках
б.г.
ISBN отсутствует
Архипов, В. И.
'Вспышечная' кинетика радиационного заряжения в неупорядоченных диэлектриках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кульбачинский, В. А.
Влияние интеркалирования Li и Ba на электрофизические свойства InSe
б.г.
ISBN отсутствует
Кульбачинский, В. А.
Влияние интеркалирования Li и Ba на электрофизические свойства InSe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дроздова, И. А.
Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник в кристаллах cdS
б.г.
ISBN отсутствует
Дроздова, И. А.
Влияние подвижных дефектов на характеристики контакта металл-полупроводник в кристаллах cdS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Евстропов, В. В.
Электролюминесценция эпитаксиальных GaP p-n-структур, выращенных на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Евстропов, В. В.
Электролюминесценция эпитаксиальных GaP p-n-структур, выращенных на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дашевский, З. М.
Эффект увеличения диффузионной длины носителей заряда в поликристаллических пленках PbTe
б.г.
ISBN отсутствует
Дашевский, З. М.
Эффект увеличения диффузионной длины носителей заряда в поликристаллических пленках PbTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Джумамухамбетов, Н. Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов InP<Sn>
б.г.
ISBN отсутствует
Джумамухамбетов, Н. Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов InP<Sn>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ахиезер, И. Т.
Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Ахиезер, И. Т.
Геометрия образца и гальваномагнитные эффекты в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Валь, А.
Распределение концентрации ртути при импульсном лазерном отжиге CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Валь, А.
Распределение концентрации ртути при импульсном лазерном отжиге CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бреслер, М. С.
Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II-типа n-GaInAsSb/N-GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Бреслер, М. С.
Излучательная рекомбинация на гетеропереходе II-типа n-GaInAsSb/N-GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винник, Е. В.
О природе индуцируемых радиационно-термическим воздействием центров люминесценции в p-GaAS<Zn>
б.г.
ISBN отсутствует
Винник, Е. В.
О природе индуцируемых радиационно-термическим воздействием центров люминесценции в p-GaAS<Zn>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алейнер, И. Л.
Электронные минизоны в сверхрешетках (GaAs)N(AlAs)M при четном и нечетном М
б.г.
ISBN отсутствует
Алейнер, И. Л.
Электронные минизоны в сверхрешетках (GaAs)N(AlAs)M при четном и нечетном М
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дмитриев, А. Г.
Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности
б.г.
ISBN отсутствует
Дмитриев, А. Г.
Твердофазное разложение GaAs при действии лазерного излучения пороговой плотности
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Федотов, В. Г.
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP2
б.г.
ISBN отсутствует
Федотов, В. Г.
Влияние радиационного облучения на люминесценцию кристаллов CdP2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Глориозова, Р. И.
Особенности поведения глубоких центров в особо чистом германии
б.г.
ISBN отсутствует
Глориозова, Р. И.
Особенности поведения глубоких центров в особо чистом германии
б.г.
ISBN отсутствует