Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
Иванов, П. А. - МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C / П. А. Иванов, В. Н. Пантелеев, Т. П. Самсонова, А. В. Суворов, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 7 . – 1146-1153 .
Иванов, П. А.
МОП конденсатор на основе термически окисленного n-6H-SiC(0001~)C / П. А. Иванов, В. Н. Пантелеев, Т. П. Самсонова, А. В. Суворов, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 7 . – 1146-1153 .