Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Керимова, Т. Г.
Оптические свойства твердых растворов CdGa2S4xSe4(1-x) / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Керимова, Т. Г.
Оптические свойства твердых растворов CdGa2S4xSe4(1-x) / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Куликов, Г. С.
Диффузионное легирование серебром аморфного гидрированного кремния с примесью бора
б.г.
ISBN отсутствует
Куликов, Г. С.
Диффузионное легирование серебром аморфного гидрированного кремния с примесью бора
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Куликов, Г. С.
Аморфный гидрированный кремний, легированный диспрозием / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Куликов, Г. С.
Аморфный гидрированный кремний, легированный диспрозием / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Выграненко, Ю. К.
Глубокие состояния в твердых растворах Pb1-xSnxTe, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Выграненко, Ю. К.
Глубокие состояния в твердых растворах Pb1-xSnxTe, легированных галлием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вейс, А. Н.
Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Вейс, А. Н.
Энергетический спектр вакансий халькогена в ионно-имплантированном сульфиде свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Галина, Т. М.
Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Галина, Т. М.
Ионная имплантация донорной примеси в фосфид индия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Беляков, Л. В.
Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Беляков, Л. В.
Светочувствительные структуры Шоттки на пористом кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рыскин, А. И.
Релаксация решетки при фотоионизации глубоких примесей различной природы / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Рыскин, А. И.
Релаксация решетки при фотоионизации глубоких примесей различной природы / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Онопко, Д. Е.
Использование кластерного приближения для исследования легированного кристалла кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Онопко, Д. Е.
Использование кластерного приближения для исследования легированного кристалла кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вовк, О. В.
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
б.г.
ISBN отсутствует
Вовк, О. В.
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алешкин, В. Я.
Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Алешкин, В. Я.
Поляризационная зависимость межзонного оптического поглощения квантовой ямы InGaAs в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гасан-заде, С. Г.
Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно-напряженном CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Гасан-заде, С. Г.
Рекомбинационные механизмы и кинетические явления в одноосно-напряженном CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Евстропов, В. В.
Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Евстропов, В. В.
Электрические свойства эпитаксиальных p-n-структур из GaP на Si-подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кадушкин, В. И.
Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs разнесенного типа
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Явления переноса в легированных сверхрешетках GaAs/AlxGa1-xAs разнесенного типа
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Амиров, Р. Х.
Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы
б.г.
ISBN отсутствует
Амиров, Р. Х.
Межподзонное излучение горячих дырок в Ge и неравновесные фононы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Сафронов, Л. Н.
Диффузия компонентов и примесей в кластерирующихся твердых растворах
б.г.
ISBN отсутствует
Сафронов, Л. Н.
Диффузия компонентов и примесей в кластерирующихся твердых растворах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ибрагимова, М. И.
Трансформация кристаллической структуры CdxHg1-xTe при ионной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
Ибрагимова, М. И.
Трансформация кристаллической структуры CdxHg1-xTe при ионной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Резников, Б. И.
Инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ диода
б.г.
ISBN отсутствует
Резников, Б. И.
Инверсия электрического поля у освещаемого анода МПМ диода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андрюшин, Е. А.
Кулоновское взаимодействие носителей в тонких полупроводниковых нитях
б.г.
ISBN отсутствует
Андрюшин, Е. А.
Кулоновское взаимодействие носителей в тонких полупроводниковых нитях
б.г.
ISBN отсутствует