Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Вовк, О. В. - Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
Вовк, О. В. - Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
Статья
Автор: Вовк, О. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Вовк, О. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Вовк, О. В.
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий / О. В. Вовк, В. П. Лелеченко, В. И. Солошенко, Я. О. Ройзин, В. Н. Чкунина // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 8 . – 1349-1353 .
Вовк, О. В.
Влияние термообработки на параметры границы раздела структур Si-SiO2 после радиационных воздействий / О. В. Вовк, В. П. Лелеченко, В. И. Солошенко, Я. О. Ройзин, В. Н. Чкунина // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 8 . – 1349-1353 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 8
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 8
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный