Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Жалко-Титаренко, И. В. - Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении
Жалко-Титаренко, И. В. - Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении
Статья
Автор: Жалко-Титаренко, И. В.
Физика и техника полупроводников: Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Жалко-Титаренко, И. В.
Физика и техника полупроводников: Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Жалко-Титаренко, И. В.
Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении / И. В. Жалко-Титаренко, А. Н. Крайчинский, Н. И. Осташко, И. С. Рогуцкий // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 10 . – 1698-1706 .
Жалко-Титаренко, И. В.
Образование дефектов в кремнии в диапазоне температур 10-300 К при электронном облучении / И. В. Жалко-Титаренко, А. Н. Крайчинский, Н. И. Осташко, И. С. Рогуцкий // Физика и техника полупроводников . – 1993 . – Т. 27, N 10 . – 1698-1706 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 10
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 27, N 10
1993 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный