Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Алиев, К. М.
Автосолитоны в температурно-неоднородной плазме германия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Алиев, К. М.
Автосолитоны в температурно-неоднородной плазме германия / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Казанский, А. Г.
Исследования дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H, легированном фосфором
б.г.
ISBN отсутствует
Казанский, А. Г.
Исследования дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H, легированном фосфором
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Левченко, В. И.
Некоторые особенности абсорбции кислорода пленками сульфида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Левченко, В. И.
Некоторые особенности абсорбции кислорода пленками сульфида свинца
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дымников, В. Д.
Время жизни квазистационарного состояния электрона в двухбарьерной гетероструктуре
б.г.
ISBN отсутствует
Дымников, В. Д.
Время жизни квазистационарного состояния электрона в двухбарьерной гетероструктуре
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Скипетров, Е. П.
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов Pb1-xSnxTe<In>
б.г.
ISBN отсутствует
Скипетров, Е. П.
Влияние облучения электронами на электрофизические свойства сплавов Pb1-xSnxTe<In>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Островский, И. В.
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Островский, И. В.
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Игнатьев, А. С.
Статические характеристики псевдоморфного селективно-легированного полевого транзистора
б.г.
ISBN отсутствует
Игнатьев, А. С.
Статические характеристики псевдоморфного селективно-легированного полевого транзистора
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Будагян, Б. Г.
Анализ инфракрасных спектров сплавов a-SiNr:H с использованием индукционной модели
б.г.
ISBN отсутствует
Будагян, Б. Г.
Анализ инфракрасных спектров сплавов a-SiNr:H с использованием индукционной модели
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Буланый, М. Ф.
Термостимулированная проводимость в пластически деформированных кристаллах ZnS-Cu, Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Буланый, М. Ф.
Термостимулированная проводимость в пластически деформированных кристаллах ZnS-Cu, Mn
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Идлис, Б. Г.
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Идлис, Б. Г.
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ждан, А. Г.
Эффекты релаксации области пространственного заряда полупроводника при термостимулированной депол...
б.г.
ISBN отсутствует
Ждан, А. Г.
Эффекты релаксации области пространственного заряда полупроводника при термостимулированной депол...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голант, Е. И.
Прохождение электронов через потенциальные барьеры в высокочастотных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Голант, Е. И.
Прохождение электронов через потенциальные барьеры в высокочастотных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Связь 'дефектной' электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
б.г.
ISBN отсутствует