Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Островский, И. В. - Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
Островский, И. В. - Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
Статья
Автор: Островский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Островский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Островский, И. В.
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs / И. В. Островский, С. В. Сайко, Р. К. Савкина // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 5 . – 769-801 .
Островский, И. В.
Релаксация поперечного акустоэлектрического напряжения в эпитаксиальных структурах GaAs / И. В. Островский, С. В. Сайко, Р. К. Савкина // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 5 . – 769-801 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 5
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 5
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный