Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Абрамян, Ю. А.
Фотопроводимость Pb1-xSnxTe<In> в миллиметровой области спектра / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Абрамян, Ю. А.
Фотопроводимость Pb1-xSnxTe<In> в миллиметровой области спектра / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гулямова, Г.
Тепловые размерные эффекты в проводящих каналах конечной длины / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Гулямова, Г.
Тепловые размерные эффекты в проводящих каналах конечной длины / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баширов, Р. И.
Прыжковая проводимость в полумагнитном твердом растворе Hg1-xMnxTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Баширов, Р. И.
Прыжковая проводимость в полумагнитном твердом растворе Hg1-xMnxTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Нейтрализация бора в кремнии высокотемпературным облучением ионами аргона
б.г.
ISBN отсутствует
Качурин, Г. А.
Нейтрализация бора в кремнии высокотемпературным облучением ионами аргона
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Комаров, Б. А.
Роль полевых эффектов при определении концентрации термодоноров в кремнии методом DLTS
б.г.
ISBN отсутствует
Комаров, Б. А.
Роль полевых эффектов при определении концентрации термодоноров в кремнии методом DLTS
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коршунов, Ф. П.
Характеристики электронно-облученных p-n-переходов в области лавинного пробоя
б.г.
ISBN отсутствует
Коршунов, Ф. П.
Характеристики электронно-облученных p-n-переходов в области лавинного пробоя
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Стафеев, В. И.
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Стафеев, В. И.
Фотодиоды с барьером Шоттки на основе GaP, GapxAs1-x и GaAs для УФ и видимого диапазонов спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Курышев, Г. Л.
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
б.г.
ISBN отсутствует
Курышев, Г. Л.
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берковиц, В. Л.
Жидкофазная эпитаксия на поверхностях AlxGa1-xAs, пассивированных в растворах сульфидов
б.г.
ISBN отсутствует
Берковиц, В. Л.
Жидкофазная эпитаксия на поверхностях AlxGa1-xAs, пассивированных в растворах сульфидов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Караваев, Г. Ф.
Исследование квазибаллистической неустойчивости в структурах из InP
б.г.
ISBN отсутствует
Караваев, Г. Ф.
Исследование квазибаллистической неустойчивости в структурах из InP
б.г.
ISBN отсутствует