Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аникин, М. М. - Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
Аникин, М. М. - Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
Статья
Автор: Аникин, М. М.
Физика и техника полупроводников: Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аникин, М. М.
Физика и техника полупроводников: Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC / М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, Н. С. Савкина, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 456-460 .
Аникин, М. М.
Токовая спектроскопия глубоких центров в p-n-структурах со встроенным полем на основе 6H-SiC / М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, Н. С. Савкина, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 3 . – 456-460 .