Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, А. Н.
Тиристоры на основе карбида кремния: некоторые особенности приборов и оценка возможных параметров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Моисеев, А. Г.
Об электронной проводимости зеркально-симметричной неупорядоченной системы
б.г.
ISBN отсутствует
Моисеев, А. Г.
Об электронной проводимости зеркально-симметричной неупорядоченной системы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дианов, Е. М.
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn1-xCdxSe/ZnSe на GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Дианов, Е. М.
Молекулярно-пучковая эпитаксия квантово-размерных структур Zn1-xCdxSe/ZnSe на GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Меркулов, И. А.
К теории формы линии и анизотропии линейной поляризации горячей фотолюминесценции в p-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Меркулов, И. А.
К теории формы линии и анизотропии линейной поляризации горячей фотолюминесценции в p-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бычковский, Д. Н.
Теория контактного поля в барьерной структуре металл-полупроводниковая сверхрешетка
б.г.
ISBN отсутствует
Бычковский, Д. Н.
Теория контактного поля в барьерной структуре металл-полупроводниковая сверхрешетка
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берча, Д. М.
Зонная структура ромбических кристаллов CdSb, ZnSb и In2Se3 при деформациях и моделирование сверх...
б.г.
ISBN отсутствует
Берча, Д. М.
Зонная структура ромбических кристаллов CdSb, ZnSb и In2Se3 при деформациях и моделирование сверх...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добин, А. Ю.
Об особенностях горячей фотолюминесценции в асимметричной квантовой яме
б.г.
ISBN отсутствует
Добин, А. Ю.
Об особенностях горячей фотолюминесценции в асимметричной квантовой яме
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Попов, А. А.
Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава
б.г.
ISBN отсутствует
Попов, А. А.
Излучательная рекомбинация в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb предельного состава
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Эпитаксиальные слои и p-n-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Аникин, М. М.
Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карачевцева, М. В.
Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Карачевцева, М. В.
Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Катеринчук, В. Н.
Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид - p-In4Se3
б.г.
ISBN отсутствует
Катеринчук, В. Н.
Фоточувствительные гетероструктуры собственный оксид - p-In4Se3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алексеев, И. В.
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Алексеев, И. В.
О некоторых особенностях генерационно-рекомбинационных процессов при облучении TlInSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Калин, М. В.
Обнаружение электронной ловушки при Ec-0.41 эВ в InP:Fe методом термостимулированных токов
б.г.
ISBN отсутствует
Калин, М. В.
Обнаружение электронной ловушки при Ec-0.41 эВ в InP:Fe методом термостимулированных токов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильинский, А. В.
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Ильинский, А. В.
Фотоиндуцированное смещение области пространственного заряда в p-i-n-структурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, П. А.
Полевой транзистор на основе 6H-Sic: температурная зависимость проводимости n-канала
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коротченков, О. А.
Изучение эпитаксиальных структур GaAs методом акустомодуляции отражения света
б.г.
ISBN отсутствует
Коротченков, О. А.
Изучение эпитаксиальных структур GaAs методом акустомодуляции отражения света
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рудь, Ю. В.
Оптоэлектрические явления в дифосфиде цинка и германия. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует
Рудь, Ю. В.
Оптоэлектрические явления в дифосфиде цинка и германия. Обзор
б.г.
ISBN отсутствует