Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Карачевцева, М. В. - Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
Карачевцева, М. В. - Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
Статья
Автор: Карачевцева, М. В.
Физика и техника полупроводников: Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Карачевцева, М. В.
Физика и техника полупроводников: Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Карачевцева, М. В.
Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами / М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1211-1218 .
Карачевцева, М. В.
Температурные исследования фотолюминесценции структур InxGa1-xAs/GaAs с квантовыми ямами / М. В. Карачевцева, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, В. А. Страхов, Н. Г. Яременко // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 7 . – 1211-1218 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 7
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный