Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Синергетика-95: диссипативные структуры и сущенственно неравновесные процессы
б.г.
ISBN отсутствует
Синергетика-95: диссипативные структуры и сущенственно неравновесные процессы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Леденцов, Н. Н.
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Леденцов, Н. Н.
Оптические свойства гетероструктур с квантовыми кластерами InGaAs-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Оконечников, А. П.
Глубокие уровни в моно- и поликристаллическом ZnSe, облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Оконечников, А. П.
Глубокие уровни в моно- и поликристаллическом ZnSe, облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Филина, Л. И.
Термостимулированная проводимость для двух взаимосвязанных уровней прилипания
б.г.
ISBN отсутствует
Филина, Л. И.
Термостимулированная проводимость для двух взаимосвязанных уровней прилипания
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Атабаев, И. Г.
Исследование отжига радиационных дефектов в n-SiC(6H), облученном тепловыми нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Атабаев, И. Г.
Исследование отжига радиационных дефектов в n-SiC(6H), облученном тепловыми нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грибников, З. С.
Баллистическая инжекция электронов с отрицательными эффективными массами
б.г.
ISBN отсутствует
Грибников, З. С.
Баллистическая инжекция электронов с отрицательными эффективными массами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Егоров, А. Ю.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Егоров, А. Ю.
Влияние условий осаждения на процесс формирования квантовых кластеров (In,Ga)As в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Макаренко, Л. Ф.
Новая модель для объяснения спектроскопических характеристик кислородных термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Макаренко, Л. Ф.
Новая модель для объяснения спектроскопических характеристик кислородных термодоноров в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гриняев, С. Н.
Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетерограницами в GaAs/AlAs (001)
б.г.
ISBN отсутствует
Гриняев, С. Н.
Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетерограницами в GaAs/AlAs (001)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует
Рогачев, Н. А.
Аморфный гидрированный карбид кремния, полученных магнетронным реактивным распылением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Архипов, В. И.
Эволюция пространственного распределения радиационных дефектов в неупорядоченных материалах
б.г.
ISBN отсутствует
Архипов, В. И.
Эволюция пространственного распределения радиационных дефектов в неупорядоченных материалах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Елесин, В. Ф.
Влияние примесного рассеяния на когерентные процессы в трехъямной наноструктуре
б.г.
ISBN отсутствует
Елесин, В. Ф.
Влияние примесного рассеяния на когерентные процессы в трехъямной наноструктуре
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голикова, О. А.
Псевдолегирование и отжиг аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Псевдолегирование и отжиг аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гнатенко, В. И.
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Гнатенко, В. И.
Глубокие центры, обусловленные атомами Ge, в двойных гетероструктурах на основе AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует