Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болтаев, А. П. - Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si
Болтаев, А. П. - Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si
Статья
Автор: Болтаев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болтаев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Болтаев, А. П.
Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, Г. А. Калюжная, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 9 . – 1569-1575 .
Болтаев, А. П.
Эффект отрицательной емкости в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si / А. П. Болтаев, Т. М. Бурбаев, Г. А. Калюжная, В. А. Курбатов, Н. А. Пенин // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 9 . – 1569-1575 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 9
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 9
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный