Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Самойлов, В. А. - Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, получ...
Самойлов, В. А. - Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, получ...
Статья
Автор: Самойлов, В. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, получ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Самойлов, В. А.
Физика и техника полупроводников: Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, получ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Самойлов, В. А.
Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией из расплава висмута / В. А. Самойлов, Н. А. Якушева, В. Я. Принц // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 9 . – 1617-1625 .
Самойлов, В. А.
Влияние изовалентной примеси сурьмы на образование электрически активных дефектов в n-GaAs, полученном жидкофазной эпитаксией из расплава висмута / В. А. Самойлов, Н. А. Якушева, В. Я. Принц // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 9 . – 1617-1625 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 9
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 9
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный