Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Емельянов, А. М. - Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2:...
Емельянов, А. М. - Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2:...
Статья
Автор: Емельянов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2:...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Емельянов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2:...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Емельянов, А. М.
Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2: эксперимент и модели / А. М. Емельянов, В. В. Голубев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2086-2095 .
Емельянов, А. М.
Влияние отжига в водороде и ионизирующей радиации на электрофизические параметры границы Si-SiO2: эксперимент и модели / А. М. Емельянов, В. В. Голубев // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2086-2095 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный