Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Катеринчук, В. Н. - Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм
Катеринчук, В. Н. - Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм
Статья
Автор: Катеринчук, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Катеринчук, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Катеринчук, В. Н.
Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм / В. Н. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, А. Д. Огородник // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2096-2098 .
Катеринчук, В. Н.
Гетеропереходы InSe-In4Se3 с полосой фоточувствительности 1.0-1.8 мкм / В. Н. Катеринчук, З. Д. Ковалюк, А. Д. Огородник // Физика и техника полупроводников . – 1994 . – Т. 28, N 12 . – 2096-2098 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 28, N 12
1994 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный