Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, И. А. - Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
Андреев, И. А. - Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
Статья
Автор: Андреев, И. А.
Физика и техника полупроводников: Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, И. А.
Физика и техника полупроводников: Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки / Физика полупроводниковых приборов / И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 8 . – с. 974-979 .
Андреев, И. А.
Высокоэффективные фотодиоды на основе GaInAsSb/GaAlAsSb для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм с большим диаметром чувствительной площадки / Физика полупроводниковых приборов / И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 8 . – с. 974-979 .