Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Алтухов, И. В. - Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
Алтухов, И. В. - Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
Статья
Автор: Алтухов, И. В.
Физика и техника полупроводников: Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Алтухов, И. В.
Физика и техника полупроводников: Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Алтухов, И. В.
Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge / И. В. Алтухов, М. С. Каган, К. А. Королев, В. П. Синис, Е. Г. Чиркова // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 1091-1094 .
Алтухов, И. В.
Индуцированные внутрицентровые излучательные переходы в сильно деформированном p-Ge / И. В. Алтухов, М. С. Каган, К. А. Королев, В. П. Синис, Е. Г. Чиркова // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 6 . – с. 1091-1094 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 6
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 6
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный