Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дроздов, С. В. - Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-...
Дроздов, С. В. - Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-...
Статья
Автор: Дроздов, С. В.
Физика и техника полупроводников: Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дроздов, С. В.
Физика и техника полупроводников: Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Дроздов, С. В.
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN / С. В. Дроздов, Г. Д. Кипшидзе, В. Б. Лебедев, С. В. Новиков, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, В. Н. Жмерик, В. М. Кузнецов, А. В. Андрианов, А. М. Гуревич, Н. Н. Зиновьев, C. T. Foxon, T. S. Cheng // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 7 . – с. 1313-1319 .
Дроздов, С. В.
Использование источника активированного азота в геометрии обращенного магнетрона при молекулярно-лучевой эпитаксии GaN / С. В. Дроздов, Г. Д. Кипшидзе, В. Б. Лебедев, С. В. Новиков, Л. В. Шаронова, А. Я. Шик, В. Н. Жмерик, В. М. Кузнецов, А. В. Андрианов, А. М. Гуревич, Н. Н. Зиновьев, C. T. Foxon, T. S. Cheng // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 7 . – с. 1313-1319 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 7
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 7
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный