Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Островский, И. В. - Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
Островский, И. В. - Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
Статья
Автор: Островский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Островский, И. В.
Физика и техника полупроводников: Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Островский, И. В.
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs / И. В. Островский, С. В. Сайко // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 9 . – с. 1639-1646 .
Островский, И. В.
Захват и релаксация заряда на дефектах структуры в эпитаксиальном GaAs / И. В. Островский, С. В. Сайко // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 9 . – с. 1639-1646 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 9
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 9
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный