Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным тех...
Лебедев, А. А. - Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным тех...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным тех...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным тех...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным технологиям / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, К. И. Игнатьев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1865-1870 .
Лебедев, А. А.
Исследование контактной разности потенциалов 6H-SiC p-n-структур, сформированных по различным технологиям / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов, К. И. Игнатьев // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1865-1870 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 10
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 10
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный