Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аброян, И. А. - Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект)
Аброян, И. А. - Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект)
Статья
Автор: Аброян, И. А.
Физика и техника полупроводников: Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аброян, И. А.
Физика и техника полупроводников: Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Аброян, И. А.
Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект) / И. А. Аброян, Л. М. Никулина // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1893-1897 .
Аброян, И. А.
Накопление дефектов в Si при последовательном облучении ионами аргона и азота. (Молекулярный эффект) / И. А. Аброян, Л. М. Никулина // Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 10 . – с. 1893-1897 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 10
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 30, N 10
1996 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный