Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Быковский, В. Ю. - Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
Быковский, В. Ю. - Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
Статья
Автор: Быковский, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Быковский, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Быковский, В. Ю.
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия / В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, С. В. Свечников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 287-291 .
Быковский, В. Ю.
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия / В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, С. В. Свечников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 287-291 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный