Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Болдырев, С. Н. - Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении ст...
Болдырев, С. Н. - Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении ст...
Статья
Автор: Болдырев, С. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении ст...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Болдырев, С. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении ст...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Болдырев, С. Н.
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si / С. Н. Болдырев, А. Я. Виленкин, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская, А. А. Саакян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 300-304 .
Болдырев, С. Н.
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si / С. Н. Болдырев, А. Я. Виленкин, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская, А. А. Саакян // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 300-304 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный