Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барышев, Н. С. - Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe<Xe> / Краткие сообщения
Барышев, Н. С. - Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe<Xe> / Краткие сообщения
Статья
Автор: Барышев, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Барышев, Н. С.
Физика и техника полупроводников: Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Барышев, Н. С.
Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe / Краткие сообщения / Н. С. Барышев, М. И. Ибрагимова, И. Б. Хайбуллин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 2 . – с. 363-364 .
Барышев, Н. С.
Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 2
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный