Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 5
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 5
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 5 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 5 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Вязовский, М. В.
Усиление гиперзвука при межпримесном поглощении света в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Вязовский, М. В.
Усиление гиперзвука при межпримесном поглощении света в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Булах, Г. И.
Фотоакустическая микроскопия эпитаксиальных кремниевых структур / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Булах, Г. И.
Фотоакустическая микроскопия эпитаксиальных кремниевых структур / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алекперов, С. А.
Температурная зависимость шума 1/f в p-InSb / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Алекперов, С. А.
Температурная зависимость шума 1/f в p-InSb / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Басалаев, Ю. М.
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2
б.г.
ISBN отсутствует
Басалаев, Ю. М.
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зебрев, Г. И.
Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое
б.г.
ISBN отсутствует
Зебрев, Г. И.
Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ефанов, А. В.
Шоттковское экранирование заряженной дислокационной стенки в полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Ефанов, А. В.
Шоттковское экранирование заряженной дислокационной стенки в полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дмитриев, В. В.
Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Дмитриев, В. В.
Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пешев, В. В.
Температурные зависимости накопления центров Е10 (Ес-0.62 эВ) в n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Пешев, В. В.
Температурные зависимости накопления центров Е10 (Ес-0.62 эВ) в n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Яфясов, А. М.
Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Яфясов, А. М.
Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Балинас, В.
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
б.г.
ISBN отсутствует
Балинас, В.
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдукадыров, А. Г.
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Абдукадыров, А. Г.
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гук, Е. Г.
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума ...
б.г.
ISBN отсутствует
Гук, Е. Г.
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума ...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коржуев, М. А.
Электрофизические свойства сплавов Cu(2-x)Se, легированных электроактивными добавками
б.г.
ISBN отсутствует
Коржуев, М. А.
Электрофизические свойства сплавов Cu(2-x)Se, легированных электроактивными добавками
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильин, М. А.
Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Ильин, М. А.
Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Олеск, С. А.
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
б.г.
ISBN отсутствует
Олеск, С. А.
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. Электрофизические свойства гетероперехода
б.г.
ISBN отсутствует
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. Электрофизические свойства гетероперехода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зебрев, Г. И.
Простая модель вольтамперных характеристик МДП траснзистора
б.г.
ISBN отсутствует
Зебрев, Г. И.
Простая модель вольтамперных характеристик МДП траснзистора
б.г.
ISBN отсутствует