Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 6
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 6
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 6 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 6 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует
Гермогенов, В. П.
Подавление 'природных' акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Крещук, А. М.
Инвертированная гетероструктура InP/In0.53Ga0.47As для полевого транзистора / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Соколов, А. П.
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Соколов, А. П.
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Хасбулатов, А. М.
Эффект 'отрицательного сопротивления' в Cd0.1Hg0.9Te / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Хасбулатов, А. М.
Эффект 'отрицательного сопротивления' в Cd0.1Hg0.9Te / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Александров, П. А.
Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Александров, П. А.
Высокотемпературная ионная имплантация мышьяка в кремний / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Критская, Т. В.
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si:Ge / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Критская, Т. В.
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si:Ge / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Маринченко, А. В.
Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Маринченко, А. В.
Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Клингер, П. М.
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Клингер, П. М.
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Житинская, М. К.
Глубокая самокомпенсация в системе PbSe<Cl,Seизб> / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Житинская, М. К.
Глубокая самокомпенсация в системе PbSe<Cl,Seизб> / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рыжков, М. П.
Функция генерации фотоносителей в варизонных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Рыжков, М. П.
Функция генерации фотоносителей в варизонных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качлишвили, З. С.
Динамический хаос в полупроводниках с горячими носителями / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Качлишвили, З. С.
Динамический хаос в полупроводниках с горячими носителями / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Резников, Б. И.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
б.г.
ISBN отсутствует
Резников, Б. И.
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добровольский, В. Н.
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Добровольский, В. Н.
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Титков, А. Н.
Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Титков, А. Н.
Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GaInAsSb/GaSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шерегий, Е. М.
Двухфононные процессы и межзонные переходы в магнитофононном резонансе дырок в InSb
б.г.
ISBN отсутствует
Шерегий, Е. М.
Двухфононные процессы и межзонные переходы в магнитофононном резонансе дырок в InSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Фистуль, В. И.
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Фистуль, В. И.
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берковиц, В. Л.
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (оптические исследования)
б.г.
ISBN отсутствует
Берковиц, В. Л.
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (оптические исследования)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Супрунчик, В. В.
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Супрунчик, В. В.
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреева, В. Д.
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
б.г.
ISBN отсутствует
Андреева, В. Д.
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иващенко, А. И.
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
б.г.
ISBN отсутствует
Иващенко, А. И.
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Помозов, Ю. В.
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Помозов, Ю. В.
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si:Ge, облученных нейтронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Багратишвили, Г. Д.
Исследование плотности электронных состояний в пленках аморфного германия
б.г.
ISBN отсутствует
Багратишвили, Г. Д.
Исследование плотности электронных состояний в пленках аморфного германия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Ильичев, Э. А.
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гуртов, В. А.
Моделирование процесса накопления объемного заряда и в диэлектриках МДП структур при облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Гуртов, В. А.
Моделирование процесса накопления объемного заряда и в диэлектриках МДП структур при облучении
б.г.
ISBN отсутствует