Электронный каталог -Физика и техника полупроводников- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Физика и техника полупроводников

Физика и техника полупроводников

Доступно
1 из 1

Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 7
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует

Заказать

На полку

Периодическое издание

Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск

Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 7 .

621.3

Общий = Физика : полупроводники

01:Книгохранение - 1 экз.

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Маслюк, В. Т.
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии / Краткие с...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гольдфарб, М. В.
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гуревич, Ю. Г.
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Масленников, Н. М.
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Никольский, Ю. А.
Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремни...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Брунков, П. Н.
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе AlxGa1-xAs/GaAs / Краткие сооб...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бахышов, А. Э.
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Мусатов, А. Л.
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Медведкин, Г. А.
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Жиляев, Ю. В.
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниев...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Синявский, Э. П.
Особенности однофонного захвата электрона в магнитном поле
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Бугаева, Т. В.
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Гафийчук, В. В.
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кадушкин, В. И.
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Новиков, Е. Б.
Увеличение коротковолновой фоточувствительности p-n GaAlAs/GaAs-структур при химической обработке...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Семенюк, Ю. А.
Низкотемпературный примесный пробой в сплавах германий-кремний
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ершов, М. Ю.
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Голик, Л. Л.
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупрово...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дощанов, К. М.
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Герасименко, Н. Н.
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Антонова, И. В.
Влияние легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченной области в нейтронно-облученно...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Караваев, В. В.
Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Васько, Ф. Т.
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Грибников, З. С.
Инверсия двойного заряженного слоя при прямом смещении слабопрозрачного изотипного гетероперехода
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Филатова, Е. О.
Исследование распределения нарушений в имплантированном кремнии методом ультрамягкой рентгеновско...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Берман, Л. С.
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном э...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Емцев, В. В.
Влияние условий электронного облучения на скорость образования А-центров в n-кремнии
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Копьев, П. С.
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного ра...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Андреев, В. М.
Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Голикова, О. А.
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кальфа, А. А.
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным леги...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Дерябина, Т. И.
Двумерный электронный газ в инверсионных слоях HgTe
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Арушанов, Э. К.
Электрические свойства антимонида кадмия, легированного Sm и Eu, при низких температурах
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Пипа, В. И.
Фотомагнитный эффект в условиях дефицита фотонов
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Ауслендер, М. И.
Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr2Se4 и CdCr2Se4 p-типа
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Кюрегян, А. С.
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелтрование и электропоглощение ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Вирро, А. Л.
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья
Шпинар, Л. И.
Двухузельная модель дефектов типа А-центров
б.г.
ISBN отсутствует

На полку