Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 11
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 24, N 11
Издательство: Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 11 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1990 . – Т. 24, N 11 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Шикина, Н. И.
Релаксационные явления в полупроводниках с заряженными дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Шикина, Н. И.
Релаксационные явления в полупроводниках с заряженными дислокациями
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жарких, Ю. С.
УФ стимулированные изменения зарядового состояния свободной поверхности системы Si-SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Жарких, Ю. С.
УФ стимулированные изменения зарядового состояния свободной поверхности системы Si-SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванюкович, В. А.
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Иванюкович, В. А.
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Белянский, М. П.
p-n-Переходы в PbS, полученные ионной имплантацией / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Белянский, М. П.
p-n-Переходы в PbS, полученные ионной имплантацией / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Фукс, Б. И.
Низкочастотный шум в легированных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Фукс, Б. И.
Низкочастотный шум в легированных полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кадушкин, В. И.
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
б.г.
ISBN отсутствует
Кадушкин, В. И.
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Джаманбалин, К. К.
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Джаманбалин, К. К.
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Поляков, В. И.
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Поляков, В. И.
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Конников, С. Г.
Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
б.г.
ISBN отсутствует
Конников, С. Г.
Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Монозон, Б. С.
Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны
б.г.
ISBN отсутствует
Монозон, Б. С.
Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кисин, М. В.
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Кисин, М. В.
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Брунков, П. Н.
Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Брунков, П. Н.
Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдуллаев, Х. О.
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/I nP со скрытым p+-затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Абдуллаев, Х. О.
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/I nP со скрытым p+-затвором
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кольченко, Т. И.
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Кольченко, Т. И.
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мазец, Т. Ф.
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Мазец, Т. Ф.
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аблова, М. С.
Диффузионное легирование пленок a-Si:H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Аблова, М. С.
Диффузионное легирование пленок a-Si:H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вайткус, Ю.
Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок PbTe на неоднородных и ориентирующих по...
б.г.
ISBN отсутствует
Вайткус, Ю.
Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок PbTe на неоднородных и ориентирующих по...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Чудинов, С. М.
Квантовый эффект Холла и G-фактор 2D-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Чудинов, С. М.
Квантовый эффект Холла и G-фактор 2D-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
б.г.
ISBN отсутствует