Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Крохмаль, А. П. - Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
Крохмаль, А. П. - Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
Статья
Автор: Крохмаль, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Крохмаль, А. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Крохмаль, А. П.
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC / А. П. Крохмаль, В. П. Кошеленко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 669-672 .
Крохмаль, А. П.
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC / А. П. Крохмаль, В. П. Кошеленко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 4 . – с. 669-672 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 4
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 4
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный