Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Добровольский, В. Н. - Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
Добровольский, В. Н. - Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
Статья
Автор: Добровольский, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Добровольский, В. Н.
Физика и техника полупроводников: Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Добровольский, В. Н.
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда / В. Н. Добровольский, В. Н. Ловейко, Г. К. Нинидзе, В. Н. Петрусенко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1067-1071 .
Добровольский, В. Н.
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неоновных носителей заряда / В. Н. Добровольский, В. Н. Ловейко, Г. К. Нинидзе, В. Н. Петрусенко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1067-1071 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный