Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Веденеев, А. С. - Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциа...
Веденеев, А. С. - Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциа...
Статья
Автор: Веденеев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциа...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Веденеев, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциа...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Веденеев, А. С.
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике / Краткие сообщения / А. С. Веденеев, С. Г. Дмитриев, В. В. Рыльков, О. Г. Шагимуратов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1141-1142 .
Веденеев, А. С.
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике / Краткие сообщения / А. С. Веденеев, С. Г. Дмитриев, В. В. Рыльков, О. Г. Шагимуратов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 6 . – с. 1141-1142 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 6
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный