Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Берман, Л. С. - Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном э...
Берман, Л. С. - Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном э...
Статья
Автор: Берман, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном э...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Берман, Л. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном э...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Берман, Л. С.
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования / Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1213-1215 .
Берман, Л. С.
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования / Л. С. Берман, Н. А. Витовский, В. Б. Воронков, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1213-1215 .