Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Караваев, В. В. - Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
Караваев, В. В. - Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
Статья
Автор: Караваев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Караваев, В. В.
Физика и техника полупроводников: Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Караваев, В. В.
Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия / В. В. Караваев, Н. В. Кузнецов, В. Н. Филатов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1234-1239 .
Караваев, В. В.
Простая модель накопления радиационных дефектов в кремнии n-типа, облученном ионами водорода и гелия / В. В. Караваев, Н. В. Кузнецов, В. Н. Филатов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1234-1239 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 7
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 7
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный