Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Герасименко, Н. Н.
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы / Н. Н. Герасименко, Г. Л. Курышев, А. М. Мясников, В. И. Ободников, Л. Н. Сафронов, Г. С. Хрящев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 7 . – с. 1245-1250 .