Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Амброс, В. П. - Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe...
Амброс, В. П. - Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe...
Статья
Автор: Амброс, В. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Амброс, В. П.
Физика и техника полупроводников: Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Амброс, В. П.
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x / В. П. Амброс, И. И. Бурдиян, Е. И. Георгицэ, И. Т. Постолаки, В. М. Погорлецкий // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1375-1378 .
Амброс, В. П.
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x / В. П. Амброс, И. И. Бурдиян, Е. И. Георгицэ, И. Т. Постолаки, В. М. Погорлецкий // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1375-1378 .