Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гарнык, В. С. - Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
Гарнык, В. С. - Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
Статья
Автор: Гарнык, В. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гарнык, В. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гарнык, В. С.
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда / В. С. Гарнык, З. В. Башалеишвили // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1485-1486 .
Гарнык, В. С.
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда / В. С. Гарнык, З. В. Башалеишвили // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 8 . – с. 1485-1486 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 8
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 8
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный