Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Брунков, П. Н. - Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
Брунков, П. Н. - Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
Статья
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Брунков, П. Н.
Физика и техника полупроводников: Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Брунков, П. Н.
Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs / П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 11 . – с. 1978-1982 .
Брунков, П. Н.
Обнаружение нового метастабильного уровня Dx-центра в тонких легированных Si слоях AlxCa1-xAs / П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 11 . – с. 1978-1982 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 11
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 11
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный