Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Поляков, В. И. - Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
Поляков, В. И. - Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
Статья
Автор: Поляков, В. И.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Поляков, В. И.
Физика и техника полупроводников: Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Поляков, В. И.
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами / В. И. Поляков, П. И. Перов, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 11 . – с. 2017-2023 .
Поляков, В. И.
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами / В. И. Поляков, П. И. Перов, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 11 . – с. 2017-2023 .