Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лютецкий, А. В. - 1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
Лютецкий, А. В. - 1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
Статья
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: 1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лютецкий, А. В.
Физика и техника полупроводников: 1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупроводниковых приборов / А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. В. Фетисова, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, А. Ю. Андреев, Е. Г. Голикова, Ю. А. Рябоштан, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – T. 37, N 11 . – с. 1394-1401 .
Лютецкий, А. В.
1.7-1.8мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур / Физика полупроводниковых приборов / А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, Н. В. Фетисова, А. Ю. Лешко, В. В. Шамахов, А. Ю. Андреев, Е. Г. Голикова, Ю. А. Рябоштан, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – T. 37, N 11 . – с. 1394-1401 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников T. 37, N 11
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников T. 37, N 11
Наука, 2003 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный