Электронный каталог библиотеки МИСИС

👓
eng|rus
Библиотека МИСИС
Режим работы:
Читальный зал Пн-Пт 10:00-18:00
Абонементы Пн-Чт 10:00-17:00,
Пт 10:00-16:00
Обед 12:00-13:00
В период каникул Вт, Чт 14:00-16:00
сайт: lib.misis.ru
e-mail: swt@ntb.misis.ru

Поиск :

  • Новые поступления
  • Расширенный поиск
  • Поиск одной строкой
  • Дискавери

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)
  • Публичные полки

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде

  • · Журналы
  • · Электронная библиотека МИСИС
  • · Другие электронные учебники
  • · Все электронные ресурсы

  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Физика и техника полупроводников

Физика и техника полупроводников

Доступно
 1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 1
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует

Заказать Заказать

На полку На полку


Периодическое издание

Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск

Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 1 .

621.3

Общий = Физика : полупроводники

01:Книгохранение - 1 экз.



Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Периодическое издание

Физика и техника полупроводников
Наука, б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)

Статья
Капустин, Ю. А.
Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Кр...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Ермаков, Е. Н.
Переход металл-диэлектрик в n-Si<P, Sb> при высоких одноосных давлениях
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аллахвердиев, А. М.
Влияние радиации на фотоэлектрические параметры фотопреобразователей на основе Ge-Si / Краткие со...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Спирин, А. И.
О связи пиков фотолюминесценции и ИК поглощения в a-Si : H / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Железняк, А. Т.
Фотостимулированное нечетное магнитосопротивление полупроводника при рассеянии электронов заряжен...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Голикова, О. А.
Исследование фотопроводимости аморфного гидрированного кремния методом видикона / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Джумамухамбетов, Н. Г.
Краевое поглощение GaAs, модифицированного лазерным излучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Левинштейн, М. Е.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гершензон, Е. М.
Верхняя зона Хаббарда и проводимость по примесям некомпенсированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Перепелкин, А. Д.
Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников CdxHg(1-x)Te методом эф...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Дыкман, И. М.
Электромагнитные волны в сверхрешетке многодлинного полупроводника при наличии магнитного поля
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Гучмазов, А. Б.
Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров гетероструктур с p-n-переход...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Квон, З. Д.
Численный расчет энергетического спектра электронов в тонких и дельта-легированных слоях GaAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Лигачев, В. А.
К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Андреев, С. П.
Ионизационная реакция p-n-структур ИМС при больших интенсивностях ионизирующего излучения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Фистуль, В. И.
Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si-Al
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Глузман, Н. Г.
Резонансный донорный уровень хрома в селениде ртути
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бабич, В. М.
ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550 градусах по Ц...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Немов, С. А.
Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Казакевич, Л. А.
Эффективность образования вакансионных и междоузельных комплексов при облучении бездислокационног...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Выдрик, В. Н.
Неидеальный гетеропереход p-PbTe-n-Si
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Голикова, О. А.
Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Джумамухамбетов, Н. Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов GaAs<Te>
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Журавлев, К. С.
Влияние изовалентного легирования In и Sb на фотолюминесценцию комплексов в эпитаксиальном сильно...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Винник, Е. В.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Абдулвагабов, М. Ш.
Термическая эффузия водорода в пленках а-С : Н, полученных методом плазмохимического осаждения
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Баранов, И. А.
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой около 100 а.е.м. и энергией до 100 Мэ...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Бланк, А. Ю.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Емцев, В. В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Георгицэ, Е. И.
ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах Hg(1-x-y)CdxMnyTe
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Беляев, А. Д.
К теории рекомбинации в аморфных полупроводниках с квазинепрерывным спектром локализованных состо...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Абдуллаев, М. А.
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Грибников, З. С.
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


Статья
Кардо-Сысоев, А. Ф.
Нестационарные процессы двойной инжекции и рассасывания плазмы в полупроводниковой p+-n-n+-структуре
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.167