Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 1
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 1
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 1 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 1 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Ермаков, Е. Н.
Переход металл-диэлектрик в n-Si<P, Sb> при высоких одноосных давлениях
б.г.
ISBN отсутствует
Ермаков, Е. Н.
Переход металл-диэлектрик в n-Si<P, Sb> при высоких одноосных давлениях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Спирин, А. И.
О связи пиков фотолюминесценции и ИК поглощения в a-Si : H / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Спирин, А. И.
О связи пиков фотолюминесценции и ИК поглощения в a-Si : H / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Джумамухамбетов, Н. Г.
Краевое поглощение GaAs, модифицированного лазерным излучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Джумамухамбетов, Н. Г.
Краевое поглощение GaAs, модифицированного лазерным излучением / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Левинштейн, М. Е.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
б.г.
ISBN отсутствует
Левинштейн, М. Е.
Релаксация фотопроводимости и шум 1/f в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гершензон, Е. М.
Верхняя зона Хаббарда и проводимость по примесям некомпенсированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Гершензон, Е. М.
Верхняя зона Хаббарда и проводимость по примесям некомпенсированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Дыкман, И. М.
Электромагнитные волны в сверхрешетке многодлинного полупроводника при наличии магнитного поля
б.г.
ISBN отсутствует
Дыкман, И. М.
Электромагнитные волны в сверхрешетке многодлинного полупроводника при наличии магнитного поля
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Квон, З. Д.
Численный расчет энергетического спектра электронов в тонких и дельта-легированных слоях GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Квон, З. Д.
Численный расчет энергетического спектра электронов в тонких и дельта-легированных слоях GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лигачев, В. А.
К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Лигачев, В. А.
К определению плотности состояний в щели подвижности неупорядоченных полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, С. П.
Ионизационная реакция p-n-структур ИМС при больших интенсивностях ионизирующего излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, С. П.
Ионизационная реакция p-n-структур ИМС при больших интенсивностях ионизирующего излучения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Фистуль, В. И.
Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si-Al
б.г.
ISBN отсутствует
Фистуль, В. И.
Состояние лазерно-имплантированного кремния на границе Si-Al
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бабич, В. М.
ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550 градусах по Ц...
б.г.
ISBN отсутствует
Бабич, В. М.
ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550 градусах по Ц...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Немов, С. А.
Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe
б.г.
ISBN отсутствует
Немов, С. А.
Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голикова, О. А.
Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Плотность состояний и перенос дырок в аморфном гидрированном кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Баранов, А. Н.
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs(1-x-y)SbxPy/InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Джумамухамбетов, Н. Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов GaAs<Te>
б.г.
ISBN отсутствует
Джумамухамбетов, Н. Г.
Температурная зависимость фотолюминесценции модифицированных кристаллов GaAs<Te>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винник, Е. В.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Винник, Е. В.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на люминесценцию арсенида галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бланк, А. Ю.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
б.г.
ISBN отсутствует
Бланк, А. Ю.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Георгицэ, Е. И.
ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах Hg(1-x-y)CdxMnyTe
б.г.
ISBN отсутствует
Георгицэ, Е. И.
ИК магнитооптические резонансы в полумагнитных сплавах Hg(1-x-y)CdxMnyTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдуллаев, М. А.
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4
б.г.
ISBN отсутствует
Абдуллаев, М. А.
Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грибников, З. С.
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
б.г.
ISBN отсутствует
Грибников, З. С.
Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует
Аверкиев, Н. С.
Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры AIIIBV с профилированной подложкой
б.г.
ISBN отсутствует