Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бланк, А. Ю. - Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
Бланк, А. Ю. - Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
Статья
Автор: Бланк, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бланк, А. Ю.
Физика и техника полупроводников: Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бланк, А. Ю.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами / А. Ю. Бланк, Н. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 67-72 .
Бланк, А. Ю.
Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами / А. Ю. Бланк, Н. Н. Зиновьев, Л. П. Иванов, Д. И. Ковалев, И. Д. Ярошецкий // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 67-72 .