Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Капустин, Ю. А. - Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Кр...
Капустин, Ю. А. - Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Кр...
Статья
Автор: Капустин, Ю. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Кр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Капустин, Ю. А.
Физика и техника полупроводников: Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Кр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Капустин, Ю. А.
Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Краткие сообщения / Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 181-182 .
Капустин, Ю. А.
Глубокие уровни, возникающие в приповерхностной области кремния p-типа после диффузии золота / Краткие сообщения / Ю. А. Капустин, Б. М. Колокольников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 1 . – с. 181-182 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 1
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 1
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный