Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 6
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 6
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 6 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 6 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Тиман, Б. Л.
Изменение свойств контакта в процессе протекания тока в системе In-CdS-In / Аннотации депонирован...
б.г.
ISBN отсутствует
Тиман, Б. Л.
Изменение свойств контакта в процессе протекания тока в системе In-CdS-In / Аннотации депонирован...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баженов, Н. Л.
Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах CdxHg1-xTe(0.4 x 0.74) / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Баженов, Н. Л.
Квантовый выход фотолюминесценции в твердых растворах CdxHg1-xTe(0.4 x 0.74) / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шмаков, С. Л.
Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Шмаков, С. Л.
Расчетные аспекты оптимизации варизонных слоев по выходу люминесценции / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Эпштейн, Э. М.
Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Эпштейн, Э. М.
Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бойко, И. И.
Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Бойко, И. И.
Охлаждение двумерного электронного газа затвором МДП структуры / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Громовой, Ю. С.
Суперсверхтонкая структура в спектрах ЭПР ионов Eu2+ в тонких пленках PbTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Громовой, Ю. С.
Суперсверхтонкая структура в спектрах ЭПР ионов Eu2+ в тонких пленках PbTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пашаев, Э. М.
Влияние рентгеновского излучения на реальную структуру кристаллов CdxHg1-xTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Пашаев, Э. М.
Влияние рентгеновского излучения на реальную структуру кристаллов CdxHg1-xTe / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рытова, Н. С.
Образование молекул водорода в арсениде галлия n-типа при его гидрогенизации
б.г.
ISBN отсутствует
Рытова, Н. С.
Образование молекул водорода в арсениде галлия n-типа при его гидрогенизации
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Абдурахманов, К. П.
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Абдурахманов, К. П.
Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Олешко, Е. В.
Особенности изменения электронной структуры теллурида висмута при самоинтеркаляции медью
б.г.
ISBN отсутствует
Олешко, Е. В.
Особенности изменения электронной структуры теллурида висмута при самоинтеркаляции медью
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Томашюнас, Р.
Фотопроводимость сильновозбужденных поликристаллических пленок CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
Томашюнас, Р.
Фотопроводимость сильновозбужденных поликристаллических пленок CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шикин, В.
Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Шикин, В.
Вольт-амперная характеристика отдельной заряженной дислокации в полупроводниках / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Белотелов, С. В.
Люминесценция имплантированных слоев Cd0.38Hg0.62Te и диодных структур на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
Белотелов, С. В.
Люминесценция имплантированных слоев Cd0.38Hg0.62Te и диодных структур на их основе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Томашюнас, Р.
Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света
б.г.
ISBN отсутствует
Томашюнас, Р.
Фотопроводимость в пленках PbS при возбуждении пикосекундными импульсами света
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Паносян, Ж. Р.
Размерно-квантованные поверхностные экситоны на границе раздела CdTe - электролит
б.г.
ISBN отсутствует
Паносян, Ж. Р.
Размерно-квантованные поверхностные экситоны на границе раздела CdTe - электролит
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Трифонова, М. М.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур n-типа
б.г.
ISBN отсутствует
Трифонова, М. М.
Электрические свойства эпитаксиальных слоев марганец-ртуть-теллур n-типа
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пузин, И. Б.
Об определении концентрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений
б.г.
ISBN отсутствует
Пузин, И. Б.
Об определении концентрации легирующей примеси в активном слое ДГС лазеров из емкостных измерений
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Емцев, В. В.
Особенности взаимодействия изовалентной примеси германия с собственными дефектами в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рытова, Н. С.
Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
б.г.
ISBN отсутствует
Рытова, Н. С.
Анализ диффузионных профилей водорода, образующихся при гидрогенизации полупроводниковых образцов
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Джафарова, С. З.
Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe
б.г.
ISBN отсутствует
Джафарова, С. З.
Экситонные состояния в легированных монокристаллах InSe и GaSe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Немов, С. А.
Особенности явлений переносов в PbTe, легированном одновременно Tl и Si
б.г.
ISBN отсутствует
Немов, С. А.
Особенности явлений переносов в PbTe, легированном одновременно Tl и Si
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Масленников, Н. М.
К вопросу о величине напряжения пробоя p-n-переходов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Масленников, Н. М.
К вопросу о величине напряжения пробоя p-n-переходов в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мякенькая, Г. С.
Обобщенная микроскопическая модель аномального мюония и его водородного аналога в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Мякенькая, Г. С.
Обобщенная микроскопическая модель аномального мюония и его водородного аналога в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует