Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Асеев, А. Л. - Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облуче...
Асеев, А. Л. - Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облуче...
Статья
Автор: Асеев, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облуче...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Асеев, А. Л.
Физика и техника полупроводников: Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облуче...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Асеев, А. Л.
Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе / А. Л. Асеев, С. Г. Денисенко, Л. И. Федина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 582-587 .
Асеев, А. Л.
Влияние процессов аннигиляции точечных дефектов на рост скоплений междоузельных атомов при облучении кристаллов Si и Ge электронами в высоковольтном электронном микроскопе / А. Л. Асеев, С. Г. Денисенко, Л. И. Федина // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 582-587 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный