Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сысоев, Б. И. - Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
Сысоев, Б. И. - Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
Статья
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сысоев, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сысоев, Б. И.
Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою / Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, М. М. Кипнис // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 708-712 .
Сысоев, Б. И.
Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою / Б. И. Сысоев, В. Ф. Антюшин, М. М. Кипнис // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 4 . – с. 708-712 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 4
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный