Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Домашевская, Э. П. - Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te...
Домашевская, Э. П. - Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te...
Статья
Автор: Домашевская, Э. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Домашевская, Э. П.
Физика и техника полупроводников: Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Домашевская, Э. П.
Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te3)x-(HgTe)1-x / Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 5 . – с. 893-897 .
Домашевская, Э. П.
Влияние стехеометрических вакансий на поведение потолка валентной зоны в твердых растворах (In2Te3)x-(HgTe)1-x / Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 5 . – с. 893-897 .