Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Выпуск
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 9
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Физика и техника полупроводников. Т. 25, N 9
Издательство: Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 9 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука, 1991 . – Т. 25, N 9 .
621.3
Общий = Физика : полупроводники
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Иванов, Ю. Л.
Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных электронов / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, Ю. Л.
Влияние магнитного поля на межуровневую релаксацию двумерных электронов / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Морозова, В. А.
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида цинка / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Морозова, В. А.
Оптические и фотоэлектрические свойства монокристаллов диарсенида цинка / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иващенко, А. И.
Электронные ловушки, наведенные в n-GaP ионным легированием фосфором / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Иващенко, А. И.
Электронные ловушки, наведенные в n-GaP ионным легированием фосфором / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Матяс, Э. Е.
Оптические свойства пленок (Zn0.265Cd0.735)3(P0.1As0.9)2, полученных импульсным лазерным испарени...
б.г.
ISBN отсутствует
Матяс, Э. Е.
Оптические свойства пленок (Zn0.265Cd0.735)3(P0.1As0.9)2, полученных импульсным лазерным испарени...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Нятикшис, В.
Особенности динамики неравновесных носителей заряда в кристаллах GaAs при сильном оптическом возб...
б.г.
ISBN отсутствует
Нятикшис, В.
Особенности динамики неравновесных носителей заряда в кристаллах GaAs при сильном оптическом возб...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Немов, С. А.
Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb0/93Sn0.07Se
б.г.
ISBN отсутствует
Немов, С. А.
Особенности компенсации легирующего действия донорных примесей вакансиями в Pb0/93Sn0.07Se
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреева, В. Д.
Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением
б.г.
ISBN отсутствует
Андреева, В. Д.
Термический отжиг кристаллов GaAs, модифицированных лазерным излучением
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Баграев, Н. Т.
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Баграев, Н. Т.
Туннельные эффекты в двумерной кремниевой транзисторной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Федирко, В. А.
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы
б.г.
ISBN отсутствует
Федирко, В. А.
Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Акимов, А. В.
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Акимов, А. В.
Воздействие излучения 10.6 мкм на краевую люминесценцию эпитаксиального n-GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Георгицэ, Е. И.
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия p-типа проводимости
б.г.
ISBN отсутствует
Георгицэ, Е. И.
О влиянии магнитных примесей на гальваномагнитные явления антимонида галлия p-типа проводимости
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Касымова, Р. С.
Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном золотом, от степени компенсации
б.г.
ISBN отсутствует
Касымова, Р. С.
Зависимость времени жизни носителей тока в кремнии, легированном золотом, от степени компенсации
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лобов, Г. Д.
Экспериментальное наблюдение магнитоэлектрического эффекта в сурьмянистом индии, помещенном в про...
б.г.
ISBN отсутствует
Лобов, Г. Д.
Экспериментальное наблюдение магнитоэлектрического эффекта в сурьмянистом индии, помещенном в про...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Семенюк, Ю. А.
Низкотемпературный примесный пробой в одноосно деформированных сплавах германий-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Семенюк, Ю. А.
Низкотемпературный примесный пробой в одноосно деформированных сплавах германий-кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Райчев, О. Э.
Проводимость сверхрешеток с узкими минизонами в квантующих магнитных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Райчев, О. Э.
Проводимость сверхрешеток с узкими минизонами в квантующих магнитных полях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Голикова, О. А.
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует
Голикова, О. А.
Легирование и псевдолегирование аморфного гидрированного кремния (обзор)
б.г.
ISBN отсутствует