Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Эпштейн, Э. М. - Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
Эпштейн, Э. М. - Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
Статья
Автор: Эпштейн, Э. М.
Физика и техника полупроводников: Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Эпштейн, Э. М.
Физика и техника полупроводников: Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Эпштейн, Э. М.
Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения / Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, А. Т. Железняк // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 6 . – с. 1098 .
Эпштейн, Э. М.
Поле неидеального дельта-легированного слоя в условиях пробоя экранирования / Краткие сообщения / Э. М. Эпштейн, Г. М. Шмелев, А. Т. Железняк // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 6 . – с. 1098 .