Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Зубрилов, А. С. - Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни нео...
Зубрилов, А. С. - Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни нео...
Статья
Автор: Зубрилов, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни нео...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Зубрилов, А. С.
Физика и техника полупроводников: Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни нео...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Зубрилов, А. С.
Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при гамма-облучении / А. С. Зубрилов, С. В. Ковешников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1332-1338 .
Зубрилов, А. С.
Влияние примесного состава n-Si на радиационное дефектообразование и деградацию времени жизни неосновных носителей заряда при гамма-облучении / А. С. Зубрилов, С. В. Ковешников // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 8 . – с. 1332-1338 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 8
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный